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英特尔SAMSUNG纷推出4G基带芯片 高通压力不小

2017/3/16 15:17:38点击:
      在2017年世界举动通讯大会(Mobile World Congress;MWC)上台前夕,英特尔(Intel)与SAMSUNG电子(Samsung Electronics)分别宣告了最新的4G数据晶片,企图挑战高通(Qualcomm)主宰的举动晶片厂。而两家厂商的进攻对高通而言,则是喜忧参半的音讯。

  南宁电视机售后维修依据报道,几乎独占4G LTE与3G EV-DO数据商场的高通,以IP授权绑架晶片的手段已开端遭到苹果(Apple)等厂商的反抗。因而英特尔与SAMSUNG推出新的晶片商品,正好给了高通在面临反独占诉讼时一个开脱的说词。但是另一方面,竞争对手的动刁难近期面临窘境的高通举动晶片部分,又也许形成更大的冲击。

  英特尔宣告推出名为XMM 7560的2G/3G/4G数据晶片,可援助最大1Gbps下载与225 Mbps上传速度。XMM 7560采英特尔14奈米制程,比起前一代采28奈米制程的XMM 7480,以及部分苹果 7/7-Plus运用的XMM 7360愈加领先。除了最大下载速度外,XMM 7560的多重载波聚合(Carrier Aggregation)也有大幅的提高。
  XMM7560是第一个可援助3G EV-DO网路的英特尔数据晶片,而目前包含Verizon、Sprint、中国电信(China Telecom)等多家电信厂商都仍在运用3G EV-DO网路。由此看来,XMM7560很有时机协助英特尔从高通手中抢下更多苹果商场。
  Susquehanna猜测,假如苹果为了下降对高通晶片的依靠,而全部选用英特尔晶片,那么高通将也许丢失10亿至14亿美金的年营收,而数据晶片平均价格较低的英特尔,则有时机获得800万至11亿美金的年营收生长。
  SAMSUNG即将推出的Exynos 8895举动SoC装备8中心处理器,并援助1Gbps的最大下载速度。Exynos 8895与高通旗舰SoC Snapdragon 835相同,都采SAMSUNG最领先的10奈米制程。Exynos 8895的多重载波聚合也比前一代Exynos 8890有所提高。
  Snapdragon 835与Exynos 8895预计都将运用在SAMSUNGGalaxy S8上。高通之所以挑选SAMSUNG而非以往的台积电出产其最新旗舰SoC,也许即是与SAMSUNG洽谈后的成果。但是SAMSUNG的4G数据技能,也对高通形成了不小的要挟。SAMSUNG终究也许会削减高通SoC的运用,或以此做为议价的筹码。
  高通最新宣告的Snapdragon X20,具有1.2Gbps最大下载速度与5x多重载波聚合,但要比及2018年上半才会开端出货,因而将不会运用在2017年推出的苹果或SAMSUNG旗舰机上。
  高通MSM晶片部分在2016年第4季的出货量,较前1年少了10%,并也许在2017年第1季跌落2%至13%。苹果与英特尔的结盟、智慧型手机商场生长减缓,以及联发科、展讯等亚洲贱价晶片的竞争,都对高通晶片部分形成不小压力。
  除了功耗、尺度上较820前进外,Snapdragon 835也瞄准了智慧型手机、平板以外的无人机、VR/AR头盔、笔记型电脑等应用,因而被看好股动高通在2017年的开展。
  另外,高通还预备投入470亿美金买下恩智浦半导体(NXP Semiconductor)。此举将能削减企业对举动晶片事务的依靠。而英特尔计划减缩举动研制核算,也给了高通略微喘口气的时机。
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